ZnO变阻器的单晶界组成和性能

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wheat

【摘要】

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利用籽晶法制备了大晶粒尺寸的低压 ZnO 变阻器,借助电子微探针和机械微探针分别研究了这种 ZnO陶瓷样品的单晶界元素组成和伏安特性。发现存在3种非线性伏安特性,击穿电压分

【作者】

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孙鸿涛邹秦

【机构】

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西安交通大学电子材料研究室,西安交通大学电子材料研究室

【出处】

：

无机材料学报

【发表日期】

：

1991年2期

【关键词】

：

氧化锌变阻器晶界晶粒陶瓷 ZnO varistor Grain boundary Grain

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利用籽晶法制备了大晶粒尺寸的低压 ZnO 变阻器,借助电子微探针和机械微探针分别研究了这种 ZnO陶瓷样品的单晶界元素组成和伏安特性。发现存在3种非线性伏安特性,击穿电压分别为1.8、3.5和6.0V;对应子晶粒表面直接接触的晶界、富锑的晶界和富铋的晶界。偏压下的 ZnO 陶瓷电容测量结果也表明存在3种不同势垒高度的晶界。更多还原

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