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本文在详细分析各种不同条件下全耗尽ＭＯＳＦＥＴ单晶体管Ｌａｔｃｈ效应测试结果的基础上，较为详细地讨论了单晶体管Ｌａｔｃｈ效应的物理机理，发现单管Ｌａｔｃｈ效应与ＭＯＳＦＥＴ的寄生双极晶体管有着极其密切的关系，最后还给出了相应的改进措施。
薄膜全耗尽SOIMOSFET单晶体管Latch效应
【摘 要】
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本文在详细分析各种不同条件下全耗尽ＭＯＳＦＥＴ单晶体管Ｌａｔｃｈ效应测试结果的基础上，较为详细地讨论了单晶体管Ｌａｔｃｈ效应的物理机理，发现单管Ｌａｔｃｈ效应与ＭＯＳＦＥＴ的寄生双极晶体管有着极其密切的关系，最后还给出了
【机 构】
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北京大学微电子学研究所
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1995年2期
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