论文部分内容阅读
介绍了一种用于高压电平位移电路的SOInLDMOS器件结构，对其漂移区、sink区、bufferN场板等结构参数进行器件工艺联合仿真，并分析相关结构参数对开态特性的影响，用于指导高压MOS器件尤其是基于SOI的横向MOS器件的开态特性设计。采用优化的参数，器件关态击穿电压为296V，开态击穿电压为265V，比导通电阻为60．9mΩ·cm^2。