GaN功率模块加速寿命试验设计

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【摘要】

：

GaN功率器件以宽能带隙、高击穿电压、高功率密度和高增益以及更高的沟道结温特性,正逐步被市场所接收,但GaN器件的可靠性还没有得到充分评估和认证,亟需开展可靠性评价工作.

【作者】

：

王振亚杨强刘荣军许悦

【机构】

：

中国电子科技集团公司第十三研究所

【出处】

：

通讯世界

【发表日期】

：

2019年7期

【关键词】

：

试验设计功率模块加速寿命 GAN 功率器件高功率密度宽能带隙击穿电压

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GaN功率器件以宽能带隙、高击穿电压、高功率密度和高增益以及更高的沟道结温特性,正逐步被市场所接收,但GaN器件的可靠性还没有得到充分评估和认证,亟需开展可靠性评价工作.基于此,本文设计了GaN功率器件温度加速寿命测试平台,对已经研制的GaN功率模块进行了温度加速寿命测试.通过试验结果计算的GaN功率模块的平均失效时间(MTTF)可达200万h,表明设计的GaN功率模块具备长期高可靠工作性能.

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