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利用扫描电镜的选区电子通道花样技术研究了用ＥＬＩＤ磨削技术制作的两咱单昌硅片磨削样品的表面变支的厚度及其结构。结果表明，表面粗糙度依次ｎｍ和２２．５ｎｍ两种（１１１）单 产品南层厚度分别为２．８μ和４．８μｍ。
用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层
【摘 要】
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利用扫描电镜的选区电子通道花样技术研究了用ＥＬＩＤ磨削技术制作的两咱单昌硅片磨削样品的表面变支的厚度及其结构。结果表明，表面粗糙度依次ｎｍ和２２．５ｎｍ两种（１１１）单 产品南层厚度分别为２．８μ和４．８μｍ。
【机 构】
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秦皇岛玻璃研究设计院
【出 处】
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电子显微学报
【发表日期】
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1998年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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