【摘 要】
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漏栅寄生电容是ＩＧＢＴ管的一个重要参数，能引起意外的栅源电压尖峰，击穿栅源间的硅氧化膜，导致器件永久失效。对此种影响的过程进行了分析，并给出解决办法
Drain gate parasitic capac
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漏栅寄生电容是ＩＧＢＴ管的一个重要参数，能引起意外的栅源电压尖峰，击穿栅源间的硅氧化膜，导致器件永久失效。对此种影响的过程进行了分析，并给出解决办法
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