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反熔丝器件广泛地应用在FPGA、DRAM、PROM、EPROM芯片中．介绍了多晶硅／ONO（氧化层-氮化物-氧化层）／多晶硅结构的反熔丝．描述了半导体技术制造反熔丝的工艺流程和工艺条件．未编程的反熔丝表现为电容特性，电阻即off-state电阻较大；经高电压编程的反熔丝即on-state电阻阻值较低．高压编程过的反熔丝的上下导电层短路（阻值在几十欧姆范围内），形成电流通路．研究中采用生长氧化层-氮化-生长氧化层的方法形成ONO结构．试验数据表明：ONO结构反熔丝介质漏电低于1×10^-14A，稳