【摘 要】
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由于功率MOSFET的漏·源间有寄生器晶体管(图1)存在,漏源间电压的上升速率dv_(DS)/dt受限制。漏·源间电压V_(DS)的急剧上升,电流对图1的电容C充电,使等效NPN晶体管导通,往
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由于功率MOSFET的漏·源间有寄生器晶体管(图1)存在,漏源间电压的上升速率dv_(DS)/dt受限制。漏·源间电压V_(DS)的急剧上升,电流对图1的电容C充电,使等效NPN晶体管导通,往往使器件损坏。
Since there is a parasitic transistor (Figure 1) between the drain and source of the power MOSFET, the rate of increase dv_ (DS) / dt of the drain-source voltage is limited. The drain-source voltage V_ (DS) rises sharply, and the current charges the capacitor C of FIG. 1, turning on the equivalent NPN transistor, often damaging the device.
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