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半导体场效应晶体管MOSFET和绝缘栅双极晶体管IGBT都具有低损耗开关特性,但其驱动方法和保护方法却有明显的区别。本文从其结构。速率、驱动功率、开关损耗、驱动要求及保护方式等方面阐述它们的差别。
MOSFET与IGBT的驱动和保护方法
【摘 要】
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半导体场效应晶体管MOSFET和绝缘栅双极晶体管IGBT都具有低损耗开关特性,但其驱动方法和保护方法却有明显的区别。本文从其结构。速率、驱动功率、开关损耗、驱动要求及保护
【机 构】
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山东工程学院电气工程系,山东工程学院电气工程系
【出 处】
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山东工程学院学报
【发表日期】
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1998年3期
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