二次X射线曝光制作凹面光栅

来源 :微细加工技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wushenjian

【摘要】

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介绍了一种通过微细加工技术即二次X射线曝光制作凹面光栅的方法.首先利用X射线截面光强遵循高斯分布的性质,无LIGA掩模版曝光显影后在PMMA上得到凹面,凹面深度可由曝光时间

【作者】

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陈水良李以贵

【机构】

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上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室

【出处】

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微细加工技术

【发表日期】

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2005年1期

【关键词】

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微细加工技术二次X射线曝光高斯分布凹面光栅 micro-fabrication technique double X-ray exposures Ga

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介绍了一种通过微细加工技术即二次X射线曝光制作凹面光栅的方法.首先利用X射线截面光强遵循高斯分布的性质,无LIGA掩模版曝光显影后在PMMA上得到凹面,凹面深度可由曝光时间控制;再用带有光栅图案的LIGA掩模版第二次曝光显影在凹面上制作光栅.利用不同的掩模版,非常方便地制作了一维和二维凹面光栅,其粗糙度RMS值小于20 nm.

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