【摘 要】
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相比于2D芯片,3D芯片具有更高的功率密度和更低的热导率。针对散热问题,多层3D芯片一般采用具有较高热导率的铜填充硅通孔(TSV)。为提高3D芯片的成品率,在温度条件限制下,对3
【机 构】
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湖北理工学院计算机学院; 长沙理工大学计算机与通信工程学院;
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61472123,61303042);湖北省自然科学基金资助项目(2014CFC1091);湖北理工学院创新人才项目(13xjz05c);湖北理工学院优秀青年科技创新团队项目(13xtz10);湖北教育厅科研项目基金资助项目(B2014026)
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相比于2D芯片,3D芯片具有更高的功率密度和更低的热导率。针对散热问题,多层3D芯片一般采用具有较高热导率的铜填充硅通孔(TSV)。为提高3D芯片的成品率,在温度条件限制下,对3D芯片进行TSV的容错结构设计非常重要。分析了带有TSV的3D芯片温度模型,提出了3D芯片温度模型的TSV修复方法。根据温度要求设计总的TSV数,将这些TSV分为若干个组,每组由m个信号TSV和n个冗余TSV组成,实现了组内和组间信号的TSV修复。实验结果表明,该TSV容错结构不仅有较高修复效率,而且具有较好散热效果。
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