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基于特制的无台面AlGaN／GaN HEMT，设计了一种实验方法，用以研究AlGaN／GaN外延表面陷阱态间的电荷输运过程。经实验证实，在器件电流崩塌效应中，存在表面陷阱电荷输运，并确定了相关时间常数。针对应力后电流崩塌驰豫过程，实验监测到小于0．1s和大于10s两类时间常数，其中较大的常数对应于表面陷阱电荷的输运过程。此结论可望用于对AlGaN／GaN HEMT电流崩塌效应进一步的理论探索和相关的器件研究。