中科院物理所基于忆耦器实现非易失性多态存储

来源 :军民两用技术与产品 | 被引量 : 0次 | 上传用户：saraxian

【摘要】

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中国科学院物理研究所的研究人员提出了一种新的非易失性存储器件——忆耦器（memtranstor）,并在单个忆耦器上分别实现了两态存储、多态存储和布尔逻辑运算。据悉,忆耦器是一种

【作者】

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物研

【出处】

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军民两用技术与产品

【发表日期】

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2017年3期

【关键词】

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中国科学院物理研究所存储器件非易失性多态中科院布尔逻辑运算磁电耦合效应电路元件

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中国科学院物理研究所的研究人员提出了一种新的非易失性存储器件——忆耦器（memtranstor）,并在单个忆耦器上分别实现了两态存储、多态存储和布尔逻辑运算。据悉,忆耦器是一种基于非线性磁电耦合效应的记忆元件,源于第四种基本电路元件电耦器（transtor）。该电子元件的基本特征是具有非线性电荷-磁通回滞曲线。与忆阻器采用电阻（R=d V/d I）的状态存储信息不同,

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