在10.6微米具有千兆赫响应的平面碲镉汞四象限外差阵列

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已制备了CO_2激光雷达用的千兆赫响应HgCdTe光电二极管的平面四象限阵列,在铟-汞扩散时用ZnS做扩散掩模。已取得的量子效率在50%以上,阵列内的均匀度优于±3%。阵列单元之间的电绝缘—直到1.5千兆赫均优于35分贝,然而在光电二极管之间发现了可忽略的光的暗区。 A four-quadrant array of gigahertz-responsive HgCdTe photodiodes for CO 2 laser radar has been fabricated using ZnS diffusion mask for indium-mercury diffusion. The quantum efficiency achieved has been above 50% and the uniformity within the array is better than ± 3%. Electrical insulation between the array elements - better than 35 dB up to 1.5 GHz, however, negligible dark areas of light were found between the photodiodes.
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