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在分析国内外钻探用金刚石聚晶应用及性能的基础上，研制开发方形□1×1×1界面生长型金刚石聚晶，具体采用0．05mm钴片或钴铁片（5％铁）扩散工艺，对工艺组装制备及合成工艺条件进行较详细分析论证，建立一种类似美国GE公司产品性能的界面生长型金刚石聚晶合成工艺，采用强酸处理方法进行去除残余金属钴，对合成产品进行电子探针、转靶X射线衍射等分析，研究证明其结构基本是D—D键结合的高晶体，金刚石晶粒之间是D—D键错综连接形成多孔网状结构，产品具备高自锐性和热稳定性，是取代大颗粒天然和人造单晶理想