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成功研制出非均匀发射极条间距功率SiGe异质结双极晶体管（HBT）用以改善功率器件热稳定性.实验结果表明，在相同的工作条件下，与传统的均匀发射极条间距HBT相比，非均匀结构HBT的峰值结温降低了22K.在不同偏置条件下，非均匀结构SiGeHBT均能显著改善芯片表面温度分布的非均匀性.由于峰值结温的降低以及芯片表面温度分布非均匀性的改善，采用非均匀发射极条间距结构的功率SiGeHBT可以工作在更高的偏置条件下，具有更高的功率处理能力.