【摘 要】
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通过硅基微结构与二氧化钒(VO2)相变薄膜相结合,设计并实现了一种电控太赫兹幅度调制器件。该调制器具有很高的太赫兹波透射率与极低的器件插损,同时具有大的工作带宽和调制
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51572042);国家国际科技合作专项资助项目(2015DFR50870);国家科学挑战计划资助项目(TZ2018003);四川省科技支撑资助项目(2014GZ0091;2015GZ0069;2014GZ0003)
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通过硅基微结构与二氧化钒(VO2)相变薄膜相结合,设计并实现了一种电控太赫兹幅度调制器件。该调制器具有很高的太赫兹波透射率与极低的器件插损,同时具有大的工作带宽和调制深度。仿真和实验测试结果表明,该调制器对太赫兹波的增透响应带宽为0.25~0.95THz波段。在0.4~0.85THz频段内(约450GHz宽带)的透射率超过80%,相较于硅衬底的透射率增加了10%以上,且透射率最高可达85%。对该器件电调控后,调制深度可达76%以上,器件透射率变化幅度可达65%。因低插损、大调制幅度以及宽工作带宽,该太赫兹
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