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用电阻加热反应蒸发的方法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,测试了膜的电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论生长速率对薄膜光电性能的影响。并在衬底温度为160℃、反应压强为1.4×10-1Pa的条件下,制得可见光范围平均透过率为93%、电阻率为4.7×10-4Ω.cm的ITO透明导电薄膜。
生长速率对反应蒸发制备ITO薄膜光电性能的影响
【摘 要】
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用电阻加热反应蒸发的方法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,测试了膜的电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论生长速率对薄膜光电性能的影响。并在衬底温度为160℃、反应压强
【机 构】
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河北工业大学材料科学与工程学院,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
【出 处】
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光电子.激光
【发表日期】
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2007年01期
【基金项目】
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国家“973”重点基础研究资助项目(G2000028202,G2000028203);天津市科技发展计划资助项目(06YFG2GX021007;天津市自然科学基金资助项目(043604911)
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