高速GaN驱动器

来源 :今日电子 | 被引量 : 0次 | 上传用户：bae2009

【摘要】

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LMG1020和LMG1210可在提供50MHz的开关频率的同时提高效率,并可实现以往硅MOSFET无法实现的5倍更小尺寸解决方案。LMG1210是一款50MHz半桥驱动器,专为高达200V的GaN场效应晶

【出处】

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今日电子

【发表日期】

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2018年5期

【关键词】

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死区时间控制驱动器 GaN

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LMG1020和LMG1210可在提供50MHz的开关频率的同时提高效率,并可实现以往硅MOSFET无法实现的5倍更小尺寸解决方案。LMG1210是一款50MHz半桥驱动器,专为高达200V的GaN场效应晶体管而设计。

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