GaN系半导体材料生长的MOCVD控制系统设计与实现

来源 :陕西理工学院学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：nwj9666

【摘要】

：

针对MOCVD系统工艺及控制要求,设计了MOCVD控制系统.采用PLC作为核心控制器,负责各类输入输出信号的控制,进行数据处理,控制半导体材料生长.同时采用WinCC组态软件设计上位监

【作者】

：

赵恒杜凯

【机构】

：

西安电子科技大学机电工程学院

【出处】

：

陕西理工学院学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

金属有机化合物化学气相淀积可编程控制器渐变控制温度控制 MOCVD PLC ramp control temperature control

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针对MOCVD系统工艺及控制要求,设计了MOCVD控制系统.采用PLC作为核心控制器,负责各类输入输出信号的控制,进行数据处理,控制半导体材料生长.同时采用WinCC组态软件设计上位监控系统.经过近一年运行,MOCVD控制系统运行状况良好,控制系统具有高可靠性、抗干扰能力强、控制精度高等特点,满足系统控制要求,保证了材料生长顺利进行.

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