【摘 要】
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采用真空-压力(V-P)封装工艺以及填料改性工艺分别制得含有不同缺陷程度的铁电陶瓷/环氧树脂封装体,采用破坏性物理分析、光学显微镜、扫描电镜及配备的能谱分析仪、局部放电
【机 构】
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天津大学内燃机研究所,天津市天波科达科技有限公司,
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采用真空-压力(V-P)封装工艺以及填料改性工艺分别制得含有不同缺陷程度的铁电陶瓷/环氧树脂封装体,采用破坏性物理分析、光学显微镜、扫描电镜及配备的能谱分析仪、局部放电测试等进行了封装体缺陷及电性能研究。结果表明:环氧基封装体中存在气泡、飞痕及黑斑等缺陷,且分别集中在环氧树脂与陶瓷的界面处、铁电极边缘或凸起部位、环氧树脂基体与铁电极表面。封装体的局部放电行为集中发生在环氧树脂与陶瓷的界面处,表明放电主要由气泡缺陷引起。此外,环氧基封装体的局部放电现象随着封装缺陷程度、外加测试电压以及铁电极间陶瓷片数量的增加而不断加剧。
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