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考察了在600℃以下通过反应AlCl3+NH3→AlN+3HCl制备AlN纳米锥的规律,结果表明在500℃时仍可获得AlN纳米锥,当温度为480℃时则无氮化物生成。场发射测试显示在500~600℃温区内制得的AIN纳米锥的开启电场处于14.2~20V·μm^-1范围,且随制备温度升高而减小。结果表明AlN纳米锥可在低温条件下获得,且具有较好的场发射性能。