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本文阐述了Ｅ型膜片的结构特性，根据其应力分布特点及硅材料在（１１０）晶面的〈１１１〉晶向上具有最大压阻系数，开展了力敏芯片的最佳设计，并进行了Ｅ型力敏器件的制作。最后给出了器件的主要技术指标。
E型扩散硅力敏器件的研制
【摘 要】
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本文阐述了Ｅ型膜片的结构特性，根据其应力分布特点及硅材料在（１１０）晶面的〈１１１〉晶向上具有最大压阻系数，开展了力敏芯片的最佳设计，并进行了Ｅ型力敏器件的制作。最后给出了器件的主要技术
【机 构】
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沈阳仪器仪表工艺研究所
【出 处】
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仪表技术与传感器
【发表日期】
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1997年9期
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