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本文介绍一种改进的高压横向PNP晶体管结构。用该结构制作的器件的HFE和阿莱电压同高质量分立元件的一样良好,而且在350V下保持fT大于1.5MHz。其制作工艺比以前介绍的生产互补纵向器件的那些工艺简单。还介绍了几种杂质分布和几何结构的实验结果。
高性能高压横向PNP晶体管结构
【摘 要】
：
本文介绍一种改进的高压横向PNP晶体管结构。用该结构制作的器件的HFE和阿莱电压同高质量分立元件的一样良好,而且在350V下保持fT大于1.5MHz。其制作工艺比以前介绍的生产互
【机 构】
：
哈里斯公司
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1986年06期
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