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研究了烧结温度对WO3系电容-压敏复合陶瓷显微结构、非线性电学性能及介电性能的影响。随着烧结温度从1050℃到1200℃的升高，WO3陶瓷的晶粒尺寸增大，压敏电压随之降低。在1150℃烧结条件下，掺杂0．8mol％Y2O3的WO3压敏陶瓷样品表现出优良的综合电性能，其非线性系数为3．5，相对介电常数为1．13×10^4。然而，过高的烧结温度，不利于样品的非线性电学性能。WO3系电容．压敏复合陶瓷较适合的烧结温度为1150℃，这是因为，在此温度下最有利于样品的晶界势垒结构的形成。