“P~+-N结正向势垒电容异常变化”变容管模型的最佳化

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:WUBING999
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用计算机辅助设计,给出P~+-N结正向势垒电容异常变化的变容管模型的最佳值解。据此研制的参放变容管性能为:γ[0.5V,-4V]=0.20~0.27,M=110~160。使用该器件的4GHz常温参放,噪声温度低达35K。 Using computer aided design, the optimal solution of the varactor model for the abnormal change of forward barrier capacitance of P ~ + -N junction is given. According to the development of the capacity of the tube is: γ [0.5V, -4V] = 0.20 ~ 0.27, M = 110 ~ 160. Using the device 4GHz room temperature parameters, the noise temperature as low as 35K.
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