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为了克服传统功率MOSFET通态电阻和击穿电压之间的矛盾，引入了超级结（sJ）器件，通过引入横向电场来提高击穿电压．针对工艺中非对称pillar的设计需求，建立了非对称的研究分析模型，通过引入影响设计的非对称因子k，分析了k的物理意义和修正了不同pillar比例下的k值来设计相关参数，推导出超结的设计解析表达式．为了验证设计的准确性，以沟槽栅SJ—MOSFET为器件，进行了仿真验证和比较，理论与仿真结果符合良好，可以用于超结MOSFET的设计指导．