器件参数对SiC MOSFET并联均流影响的统计分析

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：awangvip

【摘要】

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【作者】

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柯俊吉赵志斌孙鹏邹琦崔翔杨霏

【出处】

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半导体技术

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

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SiC MOSFET 正态分布变异系数 3σ准则电流分配

【基金项目】

：

国家重点研发计划项目(2016YFB0400503)

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