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在最近的实验中,PN结型量子阱结构被观察到反常的载流子输运情况,其相应的物理机制和载流子输运模型被提出.通过系统实验观察到,PN结量子阱结构材料在共振激发模式下,仍可测出开路电压或短路电流.对比开路和短路情况下的光致荧光(PL)光谱,发现短路下PL强度明显降低.这说明短路状态下的光生载流子没有被限制在量子阱内,而是逃逸出结区.这种载流子逃出量子阱的现象却没有在等量偏压下的NN型量子阱结构中发现,说明载流子逃出量子阱并非由传统的热激发或隧穿的作用导致.据此,笔者提出了相应的物理机制和载流子输运模型对此现象进行解释,认为光生载流子能在PN结内建电场的作用下直接逃出量子阱,并且辐射复合发光发生在载流子逃逸过程之后.