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离子轰击影响场致发射器件的稳定性和工作寿命。本文以碳纳米管场发射三极管结构为例模拟了气体-电子碰撞电离产生的正离子回轰阴极的全过程,对模型中的平面阴极受损的位置和程度进行了的分析;为了减小离子轰击的影响,在三极管中引入了第二栅极利用其离子陷阱效应,并模拟了使用第二栅极后正离子回轰阴极的全过程和阴极受损情况。模拟结果证明,加入离子陷阱结构后可以明显改善场致发射三极管的离子轰击问题。