基于无掩模光刻的高精度ITO电极加工工艺研究

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氧化铟锡(ITO)导电膜具有电阻率低、透光性好、耐高温等优点,在光电领域具有重要应用。在实际应用中,ITO常需被加工成各种形状的电极来实现相应的功能。而现有加工方法得到的ITO电极尺寸一般为10-200μm,这限制了ITO电极在微纳领域的应用。本文在传统湿法刻蚀方法的基础上,利用无掩模光刻技术对ITO玻璃表面光刻胶进行高精度曝光,再通过优化曝光、显影及刻蚀等过程,最终加工出尺寸仅为2μm的电极。此外,该方法所加工的电极具有线性度高、无钻蚀、误差小等优点。该研究为ITO电极在微纳领域应用开发奠定基础。
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