【摘 要】
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采用简便的溶剂热法制备垂直取向的氧化铜（CuO）纳米片阵列膜,然后将氧化石墨烯（GO）溶胶旋涂于CuO薄膜表面,形成由CuO纳米片顶端支撑的GO/CuO纳米复合结构.场发射实验结果显示,与
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采用简便的溶剂热法制备垂直取向的氧化铜（CuO）纳米片阵列膜,然后将氧化石墨烯（GO）溶胶旋涂于CuO薄膜表面,形成由CuO纳米片顶端支撑的GO/CuO纳米复合结构.场发射实验结果显示,与纯的CuO纳米片相比,GO/CuO纳米复合结构的开启电场从2.4V·μm^-1降至1.7VV·μm^-1,电流密度增大,发射稳定性也明显提高.实验结果表明,样品场发射性能的显著增强应源于CuO纳米片的垂直取向、超薄的刃状边缘以及GO的褶皱和凸起协同形成更多有效的场发射位点.该纳米复合结构制备方法简便,
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