一种Cu_xSi_yO阻变存储器的温度特性与微观机制分析

来源 :复旦学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：kenmaxabc

【摘要】

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应用有效控制温度偏置的方法对基于0.13μm CMOS工艺的Ta/TaN/CuxSiyO/Cu结构的1Mbit阻变存储芯片进行开关性能和高低阻态导电性能的测试,介于-40～125℃温度区间的统计结果表

【作者】

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罗文进胡倍源杨玲明林殷茵

【机构】

：

复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

【出处】

：

复旦学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2012年1期

【关键词】

：

温度偏置 CuxSiyO 阻变存储器开关导电热学微观模型 temperature biased CuxSiyO resistive RAM swi

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应用有效控制温度偏置的方法对基于0.13μm CMOS工艺的Ta/TaN/CuxSiyO/Cu结构的1Mbit阻变存储芯片进行开关性能和高低阻态导电性能的测试,介于-40～125℃温度区间的统计结果表明：set成功过程所需加载电场能量随偏置温度升高而升高,reset成功过程所需加载电场能量随偏置温度升高而降低;高阻态和低阻态随不同偏置温度呈现相似变化趋势——在-40～25℃间阻值均随偏置温度升高而升高,在25～125℃间均随偏置温度升高而呈下降趋势.针对以上现象提出了电学与热学结合的基于filament的

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