【摘 要】
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利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Se边用H饱和、In边用各种非金属元素X(X=H,B,N,P,F和Cl)端接的锯齿型In Se纳米带(H-ZN(7)-X)的几何结构、磁电子特性及应变
【机 构】
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柔性电子材料基因工程湖南省重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:61771076,11674039).
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利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Se边用H饱和、In边用各种非金属元素X(X=H,B,N,P,F和Cl)端接的锯齿型In Se纳米带(H-ZN(7)-X)的几何结构、磁电子特性及应变效应.计算的形成能和Forcite退火模拟表明H-ZN(7)-X具有稳定的几何结构.F和Cl端接时,纳米带具有和H端接时类似的磁金属性质.N端接时,纳米带磁性最强.但B和P端接使得纳米带边缘的磁性完全消失.特别是,我们发现外加的机械应变可以增强H-ZN(7)-N磁稳定性,并且有效地调节费米能级处的自旋极化率(S
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