【摘 要】
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研究了Cd对(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响.组分为97.65%SnO2+0.75%Co2O3+0.10%Nb2O5+1.50%CdO的压敏电阻具有最大非线性系数(a=22.2)和最高的势垒(ψB=0.761 eV).当
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研究了Cd对(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响.组分为97.65%SnO2+0.75%Co2O3+0.10%Nb2O5+1.50%CdO的压敏电阻具有最大非线性系数(a=22.2)和最高的势垒(ψB=0.761 eV).当CdO的摩尔分数从0增加到3%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从366 V/mm增大到556 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 429减小到1 108.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的减小是击穿电压增高和介电常数减小的主要原因.对Cd掺杂量
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