面向模分复用的沟槽-纳米孔辅助双包层弱耦合少模光纤

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为了降低相邻线偏振(LP)模式耦合导致的串扰,提出了一种沟槽和纳米孔辅助的双包层弱耦合少模光纤。首先,利用有限元方法分析了光纤参数对相邻LP模式间最小有效折射率差(Δneff)的影响。然后,对光纤进行优化,使光纤支持14个LP模式并满足弱耦合条件。最后,分析了光纤的弯曲损耗、有效模场面积、差分模式群时延。仿真结果表明,在纤芯中心位置添加半径为253 nm的纳米孔,可使C L波段上所有LP模式间的最小Δneff大于6×10 -4;添加的沟槽辅助结构能使弯曲损耗从10 -3 dB/m降低到10 -5 dB/m,具有较好的抗弯曲性能。该光纤具有良好的传输性能,在短距离大容量模分复用系统中具有较大的应用潜力。
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