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研究了用物理气相传输（PVT）法制备SiC单晶的过程中附加碳源对晶体生长速度及缺陷的影响，并将活性炭与SiC粉末一起加入到石墨坩埚中进行晶体生长。用XRD分别测定了晶体生长前后坩埚与活性炭的石墨化度，并用光学显微镜观察了晶体中的缺陷。结果表明，随晶体生长过程的进行石墨坩埚的活性降低，直接导致晶体生长速度减慢，并使籽晶表面Si液相形成的可能性增大，与Si液相相关的缺陷增多。活性炭的加入给生长过程提供了充足的碳源，提高了晶体的生长速度，并抑制了籽晶表面Si液相的形成，从而降低了与Si液相相关缺陷出现的几率。