论文部分内容阅读
报道了用1064nm激光脉冲触发电极间隙为3mm的横向半绝缘GaAs 光导开关的实验结果.对半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应特性做了分析,表明半绝缘GaAs材料EL2能级对电子和空穴的俘获截面有较大的差异,这种较大的差异造成开关对激光脉冲的超快响应.
半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应分析
【摘 要】
：
报道了用1064nm激光脉冲触发电极间隙为3mm的横向半绝缘GaAs 光导开关的实验结果.对半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应特性做了分析,表明半绝缘GaAs材料EL2能级对电子和
【机 构】
：
西安理工大学自动化学院
【出 处】
：
光子学报
【发表日期】
：
2002年9期
其他文献
利用室温光致发光(PL)技术研究了在6H-SiC(0001)上用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)外延生长的GaN薄膜"黄带"发光(YL)特点,与扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)技术得到的
基于光束在单轴晶体交界面处的折射理论和单轴晶体中的矢量传播理论,研究了基模高斯光束通过铌酸锂光束偏转器后的电场变化,计算得到了光束定向系统探测器输出的中频电流与光
研究了利用镀膜硅微机械悬臂梁红外辐射热挠曲实现红外辐射探测的技术，建立了镀膜双层硅微悬臂梁红外辐射热挠曲的理论模型。并利用镀有二氧化硅膜层的硅微悬臂梁，在硅微悬臂梁