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在A（寒温）、 B（亚湿热）、 C（亚湿热）、 D（热带海洋）4地的库房内对某型霍尔集成电路开展了为期17年的库房贮存试验，跟踪测试了该型霍尔集成电路的高电平－低电平磁感应强度（工作点） BH－L、低电平－高电平磁感应强度（释放点） BL－H和回差BH等性能参数，并应用T－检验法对4地贮存环境对样品的性能参数的影响进行了分析研究，结果表明各地贮存环境条件对样品的性能参数的影响各不相同。