【摘 要】
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We deposited Ge films on Si substrates by molecular beam epitaxy (MBE) method. The specimens were annealed at around 750 C using microwave- plasma heating techn
【机 构】
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CenterforCrystalScienceandTechnology,CenterforCreativeTechnology,CenterforInstrumentalAnalysis
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We deposited Ge films on Si substrates by molecular beam epitaxy (MBE) method. The specimens were annealed at around 750 C using microwave- plasma heating technique which we had reported before. After these pro- cesses, we carried out special scanning tra
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