四方晶相HfO2电子结构和光学性质研究

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采用密度泛函理论(DFT)框架下的局域密度近似(LDA),计算了四方HfO2晶体的电子结构,包括能带结构和态密度。在此基础上计算了四方HfO2晶体的光学线性响应函数,包括复介电函数、吸收光谱、复折射率和光电导谱。通过比较发现,计算结果与实验结果吻合较好,说明采用密度泛函理论的局域密度近似来计算HfO2材料的光学性质是比较可靠的。
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