Mo／4H-SiC肖特基势垒二极管的研制

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mrcool111

【摘要】

：

采用微电子平面工艺，射频溅射Mo作肖特基接触，电子束热蒸发金属Ni作欧姆接触，三级场限环终端表面保护．并通过对Mo接触进行合理的高温退火，不降低理想因子和反向耐压特性情况下，有效

【作者】

：

张发生李欣然

【机构】

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湖南大学电气与信息工程学院,中南林业科技大学电子与信息工程学院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年3期

【关键词】

：

SIC MO 肖特基二极管 SiC Mo Schottky barrier diode

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采用微电子平面工艺，射频溅射Mo作肖特基接触，电子束热蒸发金属Ni作欧姆接触，三级场限环终端表面保护．并通过对Mo接触进行合理的高温退火，不降低理想因子和反向耐压特性情况下，有效控制肖特基势垒高度在1．2～1．3eV范围内，成功研制出高耐压低损耗Mo／4H-SiC肖特基势垒二极管，其特性测试结果为：击穿电压Vb为3000V，串联导通电阻Ron为9．2mΩ·cm^2，Vb^2/Ron为978MW／cm^2．

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