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采用十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为模板剂．四乙氧基硅烷（正硅酸乙酯，TEOS）为硅源，硝酸为催化剂来制备介孔SiO2，并采用后嫁接法对介孔SiO2进行氨基化改性。利用红外光谱（IR），X射线粉末衍射（XRD），差热-热重分析（DTA-TG），扫描电镜（SEM），元素分析，微电泳法及N2吸附-脱附方法对改性前后的产物进行表征。结果表明氨基已成功嫁接到介孔SiO2孔道中，改性后的介孔SiO2有序度有所下降．但仍为介孔材料：改性之后介孔材料的孔径、比表面积、孔体积均变小。等电点由原来的2．74变为4．75。