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本工作涉及利用^252Cf源进行辐射效应试验研究的方法。结合功率MOSFET器件单粒子烧毁测试技术，对功率MOSFET器件辐射效应进行模拟试验研究。研究结果表明：在空间辐射环境下，功率MOSFET器件尽量使用在低电压范围内；在电路设计中附加必要的限流电阻是1种十分有效的抗单粒子烧毁措施。
功率MOSFET器件单粒子烧毁^252Cf源模拟试验研究
【摘 要】
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本工作涉及利用^252Cf源进行辐射效应试验研究的方法。结合功率MOSFET器件单粒子烧毁测试技术，对功率MOSFET器件辐射效应进行模拟试验研究。研究结果表明：在空间辐射环境下，功率
【机 构】
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兰州物理研究所
【出 处】
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原子能科学技术
【发表日期】
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2007年3期
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