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以高硅铁尾矿为主要原料，利用碳热还原法合成了SiC粉体。分析了合成过程的反应机理，探讨了配碳量和合成温度对合成过程的影响。结果表明，最终产物中β-SiC为主晶相，FexSiy为次晶相；影响合成SiC粉体最主要的因素是配碳量，其次是反应温度；在保证配碳过量的情况下，保温时间和氩气流量对合成产物的影响不是很明显；产物晶粒存在多种几何形状，其中SiC晶粒多以片状、柱状、球状形式存在，并且晶粒表面比较光滑，晶粒的尺寸分布不均匀。合成SiC的最佳工艺参数为：n（C）：n（SiO2）=5，合成温度1500℃，恒温时间