【摘 要】
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中国科学院国家重点实验室的一个研究小组制造出1.33μm GaAs衬底量子点(QD)激光器。中国科学院称,该激光器结构含InAsQDs,通过自组织形式,激光器可在室温下连续波工作。GaAs
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中国科学院国家重点实验室的一个研究小组制造出1.33μm GaAs衬底量子点(QD)激光器。中国科学院称,该激光器结构含InAsQDs,通过自组织形式,激光器可在室温下连续波工作。GaAs基QD激光器的开关速度比InP激光器的快,功耗也比它的小。四年前,该研究小组首次制造出分子束外延生长的
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