采用直径为2～5μmα型Al₂O₃研磨剂和自行研制的均匀分布的5 nm抛光球抛光液,进行研磨—机械抛光—化学机械抛光新工艺对Cd_0.9Zn_0.1Te（111）、Cd_0.96Zn_0.04Te（110）和Cd_0.96Zn_0.04Te（111）单晶片进行了精密抛光研究,并对Cd_0.96Zn_0.04Te（111）单晶片采用研磨—机械抛光—化学腐蚀传统加工方法进行了对比研究。采用传统加工方法加工的Cd_0.96Zn_0.04Te（111）表面有很多的腐蚀沟、嵌入硬质颗粒和较大划痕;而采用新工艺后Cd_0.9Zn_0.1Te（111）单晶片表面光滑,无加工缺陷;Cd_0.96Zn_0.04Te（110）表面光滑,无任何嵌入硬质颗粒,有较浅的腐蚀坑和轻微的划痕:Cd_0.96Zn_0.04Te（111）表面光滑,无任何嵌入硬质颗粒、腐蚀坑,有非常少的极轻微的隐约可见的小划痕。Cd_0.9Zn_0.1Te（111）、Cd_0.96Zn_0.04Te（110）和Cd_0.96Zn_0.04Te（111）单晶片表面化学机械抛光后表面粗糙度R_a分别为2.196nm,3.145nm,3.499nm。