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分别利用金属脉冲磁过滤真空阴极弧沉积法（FCVA）、直流磁控溅射法（SP）和脉冲辉光放电等离子体化学气相沉积法（PECVD）在硅片上沉积类金刚石膜层。并利用激光拉曼光谱法（Raman spectroscopy）和X射线光电子能谱法（XPS）对类金刚石膜层进行研究。通过研究分析发现,不同方法制备的类金刚石膜层的G峰位、D峰位、T峰位、半高宽、I（D）/I（G）值、I（T）/I（G）值和sp3键含量各不相同。其中,金属脉冲磁过滤真空阴极弧沉积法制备的类金刚石膜层的G峰位波数最大、I（D）/I（G）和半高宽最小