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以α-Al2O3为靶材，采用射频磁控溅射法制备了非晶Al2O3薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜、划痕仪、表面粗糙轮廓仪和阻抗仪研究了不同溅射功率和不同溅射气压对薄膜制备的影响，探索了不同溅射功率下制备的Al2O3薄膜的介电常数和介电损耗与频率的关系。试验结果表明，制备的非晶Al2O3薄膜表面平滑致密；随着工作气压的增加，薄膜沉积速率增加；随着溅射功率的增加，Al2O3薄膜的沉积速率和介电常数逐渐增加、介电损耗逐渐减小；随着频率的增加，Al2O3薄膜的介电常数逐渐减小，高频阶段趋于稳定。