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利用磁控溅射技术，在硅基底上（100）成功制备了ZnO薄膜。分别利用原子力显微镜和拉曼光谱仪对其表面形貌、颗粒度、粗糙度和拉曼光谱性能进行表征、分析，两种方法所得结论基本吻合。研究结果表明，ZnO薄膜结晶度良好，颗粒分布均匀，具有良好的c轴取向。原子力显微镜表征结果表明，氧分压小于50％时，ZnO颗粒度和RMS粗糙度随通入氧气分压增加而减小：氧分压大于50％时，ZnO颗粒度和RMS粗糙度趋近于一常数。拉曼光谱表征结果表明，ZnO的拉曼特征峰E2（high）表现出尺寸效应，即随氧气增加（小于81．25％）Z